End
Point Detection
EQP는 reactive ion etching(R.I.E.) 에서 고감도의 end point detector이다.
이 자료는
hetero junction device의 공정에서의 end point detection을 나타낸다. SiCl4
에칭공정 동안 mass 27에서 감지되는 Aluminium ion signal의 세기 변화(intensity
change)는 다층 구조에서 50Å AlGaAs 층과 정밀히 동일시된다. 완전한 식각이 명백하게 된 것을
알 수 있다. 제조에 있어 식각은 최적의end point에서 종결된다.
Time
Resolved Mass and Energy Spectra for After glow, Pulsed Plasma
and Laser Ablation Studies.
EQP시스템은 데이터 수집의 통제를 가능하게 하는 signal gting facility를 가지고 있다. 단지
1 마이크로 초 만큼 짧은 특정 시간 창에서 질량과 에너지의 스펙트럼을 얻을 수 있다.
이 자료는 실란(Silane) 증착연구에서1KHz의
펄스 플라즈마로부터 얻은 음이온과 양이온의
질량 스펙트럼을 보여준다
EQP DATA 
에
대한 이온 에너지 분포.
를
torr(5Pa)
to 1.3torr(130Pa)
