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Model 1610P030
LEI
반도체분야
GaN HEMTs 측정에 이상적
■ 이동성(Transport Properties)의 측정 및 맵핑
- Carrier Mobility, Sheet Charge and Sheet Resistance
- 비파괴 방식
- 수 초 이내에 개별 측정 가능
- 작은 장비 사이즈 ࿄” x 30”)
- 샘플 준비의 과정이 필요 없음
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